電位器與變頻器如何連接

目前很多人都采用變頻器外接電位器來(lái)運(yùn)用，其頻率設(shè)置簡(jiǎn)單，操作方便，只需輕輕轉(zhuǎn)動(dòng)外接電位器的旋鈕，就可以進(jìn)行頻率設(shè)置了，那么大家知道電位器如何與變頻器連接？變頻器外接電位器使用注意事項(xiàng)都有哪些呢？由于各種變頻器的說(shuō)明上對(duì)外接電位器的阻值和功率規(guī)定都是各不一樣的，所以大家在操作變頻器如何外接電位器的時(shí)候，應(yīng)當(dāng)按變頻器的說(shuō)明書來(lái)進(jìn)行操作。 電位器原理 電位器是具有三個(gè)引出端腳，其阻值可按某種變化規(guī)律調(diào)節(jié)的精密電阻元件。電位器通常由精密電阻體和可移動(dòng)的電刷組成。當(dāng)電刷沿精密電阻體移動(dòng)時(shí)，在輸出端即獲得與位移量成一定關(guān)系的精密電阻值或電壓。 電位器如何與變頻器連接？ 首先變頻器與外接電位器之間的接線應(yīng)都推薦采用屏蔽線，在變頻器與外接電位器之間距離 不建議超過2米，超過2米時(shí)要考慮其屏蔽線的質(zhì)量，線徑之間的厚度不能小。變頻器的路壓降可以忽略，若壓降過大，可以采用用單芯銅線屏蔽代音屏蔽線。然后變頻器的模擬量輸設(shè)為運(yùn)行頻率，接著將其調(diào)節(jié)器可以轉(zhuǎn)換為4-20mA的信號(hào)，送至變頻器的信號(hào)輸入端，這樣可以達(dá)到控制變頻的目的，此時(shí)變頻器頻率的設(shè)定可以通過外接頻率電位器來(lái)設(shè)定。 把外接電位器的滑動(dòng)端接到變頻器電壓輸入端的AVI，其余兩端接+10V和公共端即可。 另外理論上電位器還可以同時(shí)控制兩臺(tái)變頻器，但為了減少操作誤差， 是用兩路電流輸出的數(shù)字信號(hào)給電位器來(lái)控制，首先設(shè)定一個(gè)電流值（或者變頻器的頻率值）給電位器對(duì)應(yīng)輸出兩路相同的電流值，以此才能達(dá)到同時(shí)控制兩臺(tái)變頻器的目的。此時(shí)變頻器 更改為電流信號(hào)控制。 變頻器上用于外部速度給定的電位器，通過自身分壓精密電阻的變化實(shí)現(xiàn)0V到10V的變化輸入．電位器兩條端線，一條接參考電壓10V，一條接0V，剩下的一條信號(hào)線則接AI輸入口。

潮濕的環(huán)境對(duì)電容電參數(shù)有什么影響

電容在空氣中濕度過高時(shí)，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。離子遷移可嚴(yán)重破壞正電極表面銀層，引線焊點(diǎn)與電極表面銀層之間，間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使無(wú)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。表面絕緣電阻則因無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導(dǎo)體而降低。 電容空氣中濕度過高時(shí)，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此外，對(duì)于半密封結(jié)構(gòu)電容器來(lái)說(shuō)，水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。 電容 因此，高溫、高濕環(huán)境對(duì)電容器參數(shù)惡化的影響極為顯著。經(jīng)烘干去濕后電容器的電性能可獲改善，但是水分子電解的后果是無(wú)法根除的。例如，電容器的工作于高溫條件下，水分子在電場(chǎng)作用下電解為氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-），引線根部產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕。即使烘干去濕，也不可能使引線復(fù)原。 離子遷移可嚴(yán)重破壞正電極表面銀層，引線焊點(diǎn)與電極表面銀層之間，間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使無(wú)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。 由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會(huì)因此而下降。表面絕緣電阻則因無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導(dǎo)體而降低。銀離子遷移嚴(yán)重時(shí)，兩電極間搭起樹枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。 綜上所述，銀離子遷移不僅會(huì)使非密封無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器電性能惡化，有可能導(dǎo)致內(nèi)部短路、高的漏電流、容值損失、ESR值的上升和電路開路。而且可能引起介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)下降， 導(dǎo)致電容器擊穿。